1.组成结构
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文字头缩写。它由NPN或PNP型晶体管组成，图1是典型的TTL中速与非门电路。由于电路中载流子有电子和空穴两种极性，因而是一种双极型晶体管集成电路。
图1 典型的TTL中速与非门电路
TTL电路有好几种，其中速度最高的是STTL，即肖特基TTL电路，其平均传输时间约3ns，比标准型TTL约快6~7倍；功耗最低的是LSTTL，其功耗不到标准型TTL的十分之一。TTL电路与其他双极型电路相比，在性能、价格上可谓物美价廉，已基本上取代了RTL(电阻-晶体管)电路和DTL（二极管-晶体管）电路，只是在超高速环路中仍要用ECL（发射极耦合）电路。
2.制造工艺
双极型集成电路是在平面晶体管基础上发展起来的，它的基本工艺仍然是平面工艺。但由于电路中除有晶体管外，还要集成二极管、电阻、电容等元器件，因而在制造过程中首先要把各种元器件做在一块基片上，并使它们相互绝缘，最后再按要求将它们连成电路。从制造工艺上看，它与平面晶体管的不同，仅是增加了隔离工艺和埋层工艺。图2是经过六次光刻、四次扩散和四次氧化制成的双极型集成电路芯片结构，工艺较复杂。
图2 六次光刻、四次扩散、氧化制成的双极型集成电路芯片结构
3.电路特点
表1列出了国产TTL和各种MOS电路的四个主要参数，以便于比较。
表1 国产TTL和MOS电路主要参数
由图3曲线可见，TTL比CMOS电路功耗大，但随频率提高其功耗所增无几。
图3 TTL与CMOS两种电路的动态功耗电流曲线
抗干扰能力又称噪声容限，它表示电路保持稳定工作所能抗拒外来干扰和本身噪声的能力，可用图4电压传输特性来说明。
图4 说明抗干扰能力的电压传输特性曲线
在图4曲线中，ViL为本级门最大输入低电平，Vg为关门电平，Vk为开门电平，ViH为最低输入高电平。显然，要保持输出高电平，干扰电压不应超过：
式中 VNL——下限抗干扰电平。
TTL的VNL约为0.7V，而要保持输出低电平，干扰电压就不应超过：
式中VNH——上限抗干扰电平。
TTL的VNH约为1.5V。图4是在电源电压为5V时的典型曲线。
