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VLSI发展与国际接轨!微电子和集成电路器件模型领域再突破 
2007年2月28日

        教育部“长江学者”特聘教授黄风义博士率领东南大学一个课题组,在爱斯泰克公司等单位的合作支持下,在微电子集成电路器件模型领域取得重大突破,成果在相关领域国际最权威的《固态线路杂志IEEE JSSC》2006年10月刊发表。这是微电子器件模型领域首次全部作者以国内为依托单位在此杂志发表文章。

        过去几年间,随着中国大陆微电子工艺技术的发展,以及通过和台湾及国际上先进生产线的合作,中国大陆在超大规模集成电路芯片领域取得了很大成就,已经有多款芯片实现自主设计和国产化并进入国际市场。然而,因为长期以来我国超大规模集成电路工艺技术的相对落后,在最尖端的科研和技术领域,特别是在超大规模集成电路的器件模型领域,一直和国际先进水平有比较大的差距。由美国电气电子工程学会主办的《固态线路杂志》是集成电路领域国际最权威的杂志,主要报道代表国际最前沿的研究和技术成果。在本论文发表前,在微电子和集成电路器件模型领域中国尚没有以大陆为唯一或者主要依托单位的作者在此杂志上发表论文。

        黄教授课题组所开展的工作是关于超大规模集成电路特别是射频集成电路中广泛应用的在片元器件——电感元件的模型研究。课题组在国际上首先提出了一种新型电路模型,可以有效地描述电感元件的非对称性,并提出了一种物理理论可以定量地计算非对称系数。在此基础上,进一步开发了一种全新的电感元件模型参数提取的解析算法。所开发的特征函数法可以避免传统的数字叠代拟合算法中经常发生的多值解以及不收敛等问题。所创立的模型,包含了目前所了解的各种主要寄生效应,结合所引入的非对称性和解析算法,可以为电感元件提供目前国际上最先进的模型和最高精度的仿真结果。这对电感元件的模型研究和性能优化,以及采用电感元件的射频集成电路的设计都将有重要的意义。此方法将可以作为软件模块,直接嵌入目前国际上标准的器件模型和参数提取的软件平台,如Agilent公司针对射频器件模型提取的IC-CAP以及ADS中。此项成果,在具有重大的科研价值的同时,也具有直接的技术和产业应用价值。

        此项成果是黄风义教授的课题组在爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司和北京大学微电子学研究所的合作下取得的。虽然对于国际微电子和集成电路领域,此项研究成果只是一个特殊方面的阶段性突破,但却从一个侧面反映了我国科研工作者和工程技术人员在相关领域向国际一流水平目标奋斗的决心和在此过程中所做出的不懈努力。

 

来源:电子工程专辑





 
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