STM系列 IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，
高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。

高性价比，广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、大功率转换、逆变焊机、
风力发电等行业的“across-the-bus”功率线路设计。
 
材料特性
电容结构:双层金属化膜，内部串联结构
封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 能适合任何品牌的IGBT模块尺寸。(可按客户需求定制特殊规格)
 
电气特性
电容量:0.047μF to 5.6μF, 参考表格数据
额定电压:700,850,1000,1200,1500,2000,2500 ，3000VDC
损耗角正切:测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

绝缘电阻: Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
耐电压:3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
工作温度:2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min -40~+85℃
电容量变化:-3% ，30,000小时（有效电压工作状态），或100,000 hours （额定电压工作状态）