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| 所 在 地： |
上海市 |
| 当前价格： |
元
/只 |
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| 在线联系： |
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| 最小订量： |
1000起订 |
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| 发布日期： |
2007年10月30日 |
| 有 效 期： |
不限期 |
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| 联 系 人： |
杨燕星 先生( 副总经理) |
| 公 司 名： |
上海富川电子科技发展有限公司 |
| 企业类型： |
中外合作经营企业 |
| 经营模式： |
生产型, 贸易型 |
| 电 话： |
021-64270246 |
| 移动电话： |
没有提供 |
| 传 真： |
021-64394195 |
| 地 址： |
上海市中山南二路1500号东亚大厦1704室 |
| 邮 编： |
200030 |
| 公司网站： |
www.sh-richfield.com |
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| 产品说明 |
发布信息 |
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2SC3355硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。采用TO-92封装，具有理想的功率特性。主要应用于VHF、UHF、CATV高频低噪声放大器。
主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 9.5dB @ f=1GHz,VCE=10V,IC=20mA
低躁声: NF典型值为 1.5dB @ f=1GHz,VCE=10V,IC=7mA
增益带宽乘积: fT 典型值为 6GHz @ VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz
订购信息
极限工作条件范围 (TA=25℃)
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参数 |
符号 |
极值 |
单位 |
|
集电极基极击穿电压 |
VCBO |
20 |
V |
|
集电极发射极击穿电压 |
VCEO |
12 |
V |
|
发射极基极击穿电压 |
VEBO |
3 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
100 |
mA |
|
功耗 |
PC |
500 |
mW |
|
结温度 |
Tj |
150 |
℃ |
|
存储温度 |
Tstg |
-65 ~ +150 |
℃ |
hFE规格
电学特性 (TA=25℃)
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参数 |
符号 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
测试条件 |
|
集电极基极击穿电压 |
VCBO |
20 |
|
|
V |
IC =1.0uA |
|
集电极基极漏电流 |
ICBO |
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|
0.1 |
uA |
VCB=10V |
|
发射极基极电流 |
IEBO |
|
|
1.0 |
uA |
VEB=1V |
|
直流增益 |
hFE |
50 |
150 |
250 |
|
VCE=6V, IC=20mA |
|
增益带宽乘积 |
fT |
4.5 |
5.5 |
|
GHz |
VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz |
|
输出反馈电容 |
Cre |
|
0.7 |
1.2 |
pF |
VCE=10V,IE=0mA,f=1MHz |
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插入功率增益 |
| S21 |2 |
|
9.5 |
|
dB |
VCE=10V,IC=20mA,f=1GHz |
|
噪声因子 |
NF |
|
1.6 |
2.0 |
dB |
VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz |
封装形式
TO-92 |
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