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| 所 在 地： |
上海市 |
| 当前价格： |
元
/片 |
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| 在线联系： |
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| 最小订量： |
3000起订 |
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| 发布日期： |
2007年10月30日 |
| 有 效 期： |
不限期 |
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| 联 系 人： |
杨燕星 先生( 副总经理) |
| 公 司 名： |
上海富川电子科技发展有限公司 |
| 企业类型： |
中外合作经营企业 |
| 经营模式： |
生产型, 贸易型 |
| 电 话： |
021-64270246 |
| 移动电话： |
没有提供 |
| 传 真： |
021-64394195 |
| 地 址： |
上海市中山南二路1500号东亚大厦1704室 |
| 邮 编： |
200030 |
| 公司网站： |
www.sh-richfield.com |
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| 产品说明 |
发布信息 |
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FC4226超高频低噪声晶体管，采用平面NPN硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声特性。由于采用了超小型的SOT-323封装，特别适用于高密度表面贴片安装。
主要应用
FC4226主要用于VHF、UHF低噪声放大器。
主要特性
高增益: ︱S21︱2 典型值为 9.5 dB @ VCE=3V，Ic=7mA，f=1GHz
低噪声: NF 典型值为 1.3dB @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz
增益带宽乘积: fT典型值为 4.5 GHz @ VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz
订购信息
极限工作条件范围 (TA=25℃)
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参数 |
符号 |
极值 |
单位 |
|
集电极基极击穿电压 |
VCBO |
20 |
V |
|
集电极发射极击穿电压 |
VCEO |
12 |
V |
|
发射极基极击穿电压 |
VEBO |
3 |
V |
|
集电极电流 |
IC |
100 |
mA |
|
功耗 |
PC |
150 |
mW |
|
结温度 |
Tj |
150 |
℃ |
|
存储温度 |
Tstg |
-65 ~ +150 |
℃ |
hFE规格
|
等级 |
G |
R |
S |
|
标号 |
R23 |
R24 |
R25 |
|
hFE |
50-100 |
80-150 |
125-300 |
电学特性 (TA=25℃)
|
参数 |
符号 |
最小 |
典型 |
最大 |
单位 |
测试条件 |
|
集电极基极击穿电压 |
VCBO |
20 |
|
|
V |
IC=1uA |
|
集电极基极漏电流 |
ICBO |
|
|
0.1 |
uA |
VCB=10V |
|
发射极基极电流 |
IEBO |
|
|
1.0 |
uA |
VEB=1V |
|
直流增益 |
hFE |
50 |
150 |
300 |
|
VCE=3V，IC=7mA |
|
特征频率 |
fT |
3.5 |
4.5 |
|
GHz |
VCE=3V，IC=7mA |
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输出反馈电容 |
Cre |
|
0.65 |
1.0 |
pF |
VCB=10V,IE=0mA,f=1MHz |
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功率增益 |
| S21 |2 |
|
9 |
|
dB |
VCE=3V,IC=3mA,f=1GHz |
|
|
9.5 |
|
dB |
VCE=3V,IC=5mA,f=1GHz |
|
|
10 |
|
dB |
VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz |
|
|
11 |
|
dB |
VCE=3V,IC=10mA,f=1GHz |
|
噪声因子 |
NF |
|
1.3 |
2.0 |
dB |
VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz |
|
|
1.5 |
2.5 |
dB |
VCE=10V,Ic=5mA,f=1GHz |
封装形式
SOT-323
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