供应BFR520高频低噪声晶体管
所 在 地: 上海市
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最小订量: 3000起订  
发布日期: 2007年10月30日
有 效 期: 不限期
联 系 人: 杨燕星 先生( 副总经理)
公 司 名: 上海富川电子科技发展有限公司
企业类型: 中外合作经营企业
经营模式: 生产型, 贸易型
电  话: 021-64270246
移动电话: 没有提供
传  真: 021-64394195
地  址: 上海市中山南二路1500号东亚大厦1704室
邮  编: 200030
公司网站: www.sh-richfield.com
产品说明    发布信息

1。BFR520硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。BFR520主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。

2。主要特性

高增益:    ︱S212 典型值为 13dB  @ f =1GHz、Vce=5V、Iceo=20mA

低躁声:     NF典型值为 2 dB      @ f =1GHz、Vce=5V、Iceo=5mA

特征频率:   fT典型值为 8GHz      @Vce=5V、Ic=20mA

3。极限工作条件范围 (T=25℃):

集电极基极击穿电压VCBO   25  V

集电极发射极击穿电压VCES  15  V

发射极基极击穿电压VEBO  3  V

集电极电流I70  mA

功耗P200  mW

结温度  Tj  150  ℃

存储温度Tstg  -65 ~ +150  ℃

4。HFE规格

标号  R25/R24/32W

HFE  50-250

5。电学特性 (T=25℃)

参数

符号

最小

典型

最大

单位

测试条件

集电极基极击穿电压

BVCBO

25

 

 

V

Icbo=10uA

集电极基极漏电流

ICBO

 

 

0.1

uA

VCB=10V

发射极基极电流

IEBO

 

 

1.0

uA

VEB=1V

直流增益

hFE

50

150

250

 

VCE= 10V, IC=20mA

特征频率

fT

 

8

 

GHz

VCE=5V, IC=20mA

功率增益

| S21 |2

10.5

11.5

 

dB

VCE=5V,  IE=20mA, f= 1GHz

噪声因子

NF

 

1.5

2.5

dB

VCE=5V,  Ic=5mA, f=1GHz

 

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