频率范围: 2.0MHz-170MHz 封装: SMD 14×19mm FR4 稳定度: +/-42/52ppm 输出: LVPECL/LVDS/LVHCMOS/HCMOS

频率范围: 300MHz-800MHz 封装: SMD 14×9mm 稳定度: +-42/52ppm 输出: LVPECL

频率范围: 10.0MHz-40.0MHz 封装: SMD 7×5mm FR4 稳定度: +/-2.5ppm over all 输出: sine(clipped)/HCMOS

频率范围: 50MHz-200MHz 封装: SMD 7×5mm 稳定度: +/-25/50/70ppm 输出: LVPECL/LVDS

频率范围: 1.5MHz-115.52MHz 封装: SMD 7×5mm 稳定度: +/-25/50/100ppm 输出: HCMOS/LVHCMOS

频率范围: 1.5MHz-80MHz 封装: SMD 7×5mm 稳定度: ARR sprecifled 输出: HCMOS/TTL

频率范围: 100KHz-155.52MHz 封装: DIL-14 稳定度: +/-35/40ppm 输出: HCMOS/PECL

CF5032 频率：8M～48MHz 封装：5.0×3.2×1.5mm SMD 频率精度：±5ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10μW typical ;100μW Max 静电容：3.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～12

CT6020 频率：25.6KHz～200KHz 封装：6.0×2.0mm DIP 频率精度：±5ppm～ ±20ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF or Series 激励功率： 0.1mW (typical) 静电容：7.0pF Max 老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year 存储温度：-55℃～125

CF6035 频率：9.6M～49MHz 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃ 非标点

CF3225 频率：16M～26MHz 封装：3.2×2.5×0.6mmSMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10μW ;5μW typical 静电容：7.0pF Max 老化率：±0.1ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

HC-49S-SMD 频率范围：3.5M～90MHz 封装：HC-49S SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10MW typical 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃ 非标点

HC-49U 频率范围：1.8～180MHz ； 封装：10.82×4.47×12.86mm ; 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：20pF 激励功率：10μW～5MW(typical) 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年)

OF7050 频率：1.0000MHz～125.0MHz 封装：7.0×5.0×1.4 mm SMD 工作电压：+5.0V ,+3.3V 、 +1.8V±5% 输出波形：CMOS 温度稳定度: ±20ppm;±25ppm；±50ppm; ±100ppm 负载电容：15Pf Max 输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin 老化率：±

OF7050 频率：1.0000MHz～125.0MHz 封装：7.0×5.0×1.4 mm SMD 工作电压：+5.0V ,+3.3V 、 +1.8V±5% 输出波形：CMOS 温度稳定度: ±20ppm;±25ppm；±50ppm; ±100ppm 负载电容：15Pf Max 输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin 老化率：±

CF5032 频率：12M, 封装：5.0×3.2×0.9mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～12

VS7050-C 频率：1.5MHz～200.0MHz 封装：7.0×5.0×1.6mm SMD 工作电压： 5V 3.3V Pulling范围：±100ppm 抖动：40 mSec 输出波形：CMOS 温度稳定度：-20℃～70℃ ±25ppm 存储温度：-55℃～+125℃

CT1030 频率：3.579M～60MHz 封装：10.0×3.0mm DIP 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF or Series 激励功率：0.01mW～0.1mW (typical) 静电容：7.0pF Max 老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year 存储温度：-5

频率：11.0592MHZ 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

频率：10.000MHZ 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃