产品介绍： 晶振厂家-深圳安迪兴电子(无铅晶振，环保晶振，贴片晶振，有源晶振，无源晶振，工业级晶振） 晶振频率可定制,工作温度为-40-+85度,通过RoHS(SGS)认证,TS 16949认证,专业解决客户生产和研发过程中遇到的各种匹配问题. 石英振荡器系列：全尺寸、半尺寸钟振、（5*7 、6*3.5、5*3.2、4*2.5） 石英晶振系列：HC--49/U、HC-49/ S、HC--49/

产品介绍： 晶振厂家-深圳安迪兴电子(无铅晶振，环保晶振，贴片晶振，有源晶振，无源晶振，工业级晶振） 晶振频率可定制,工作温度为-40-+85度,通过RoHS(SGS)认证,TS 16949认证,专业解决客户生产和研发过程中遇到的各种匹配问题. 石英振荡器系列：全尺寸、半尺寸钟振、（5*7 、6*3.5、5*3.2、4*2.5） 石英晶振系列：HC--49/U、HC-49/ S

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SMD7050-12.2880M 3.3V 30PPM 有现货 3天可交货 SMD7050- 14.7456M 3.3V 30PPM 有现货 3天可交货 SMD7050-16.3840M 3.3V 30PPM 有现货 3天可交货 SMD7050-19.4400M 3.3V 30PPM 有现货 3天可交货 SMD7050-20.0000M 3.3V 30PPM 有现货 3天可交

CF5032 频率：8M～48MHz 封装：5.0×3.2×1.5mm SMD 频率精度：±5ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10μW typical ;100μW Max 静电容：3.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～12

CT6020 频率：25.6KHz～200KHz 封装：6.0×2.0mm DIP 频率精度：±5ppm～ ±20ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF or Series 激励功率： 0.1mW (typical) 静电容：7.0pF Max 老化率：(±3.0～±5.0)ppm/year 存储温度：-55℃～125

CF6035 频率：9.6M～49MHz 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃ 非标点

CF3225 频率：16M～26MHz 封装：3.2×2.5×0.6mmSMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10μW ;5μW typical 静电容：7.0pF Max 老化率：±0.1ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

HC-49S-SMD 频率范围：3.5M～90MHz 封装：HC-49S SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10MW typical 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃ 非标点

HC-49U 频率范围：1.8～180MHz ； 封装：10.82×4.47×12.86mm ; 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：20pF 激励功率：10μW～5MW(typical) 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年)

OF7050 频率：1.0000MHz～125.0MHz 封装：7.0×5.0×1.4 mm SMD 工作电压：+5.0V ,+3.3V 、 +1.8V±5% 输出波形：CMOS 温度稳定度: ±20ppm;±25ppm；±50ppm; ±100ppm 负载电容：15Pf Max 输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin 老化率：±

CF5032 频率：12M, 封装：5.0×3.2×0.9mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～12

VS7050-C 频率：1.5MHz～200.0MHz 封装：7.0×5.0×1.6mm SMD 工作电压： 5V 3.3V Pulling范围：±100ppm 抖动：40 mSec 输出波形：CMOS 温度稳定度：-20℃～70℃ ±25ppm 存储温度：-55℃～+125℃

频率：20MHZ 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

频率：125.0MHz 封装：7.0×5.0×1.3mm SMD 工作电压：+3.3V or Specify 输出波形：P:PECL 温度稳定度: ±25ppm；±50ppm; ±100ppm 负载电容：15pF 老化率：±5ppm/year 存储温度：-55℃～125℃

HC-49S--DIP 频率：16MHz 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10MW typical;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃ HC-49S -SMD 频率

HC-49S--DIP 频率：18.432MHz 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10MW typical;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃ HC-49S -SMD

频率：16M 封装：5.0×3.2×0.9mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-

频率：11.0592MHZ 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃