VS7050-C 频率：1.5MHz～200.0MHz 封装：7.0×5.0×1.6mm SMD 工作电压： 5V 3.3V Pulling范围：±100ppm 抖动：40 mSec 输出波形：CMOS 温度稳定度：-20℃～70℃ ±25ppm 存储温度：-55℃～+125℃

频率：20MHZ 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

频率：125.0MHz 封装：7.0×5.0×1.3mm SMD 工作电压：+3.3V or Specify 输出波形：P:PECL 温度稳定度: ±25ppm；±50ppm; ±100ppm 负载电容：15pF 老化率：±5ppm/year 存储温度：-55℃～125℃

频率：16MHz～40.0MHz 封装：3.2×2.5×0.9mm SMD 工作电压：+5V +2.8V 输出负载：削峰正弦波输出 输出电平:0.8V(P-P)Min 温度稳定度: -20℃～+70℃ +2.0ppm 负载电容：10KΩ//10Pf±10% 老化率：±1.0ppm/year 存储温度：-55℃～125℃ VC-TC5032 频率：10

VS7050-A 频率：1.5MHz～200.0MHz 封装：7.0×5.0×1.6mm 工作电压： 5V 3.3V Pulling范围：±100ppm 抖动：40 mSec 输出波形：CMOS 温度稳定度：-20℃～70℃ ±25ppm 存储温度：-55℃～+125℃ VS7050-B 频率：60MHz～200.0MHz 封装：7.0×5.

ZTACC 频率：1.79M～8M 封装：7.4×3.4×5mm 频率精度：±0.5% 温度稳定度：-20℃～80℃ ±0.3% 谐振电阻：80ΩMax 老化率：±0.3% ZTTCC 频率：1.79M～8M 封装：7.4×3.4×5mm 频率精度：±0.5% 温度稳定度：-20℃～80℃ ±0.3% 谐振电阻：80ΩMax 老化率：±0.3

TC3225 频率：13M,16.3676M,19.2M,19.68M,24.5535M,26M 封装：3.2×2.5×0.9mm SMD 工作电压：+5V +2.8V +3.3V 输出负载： 削峰正弦波输出 输出电平: 0.8V(P-P)Min 温度稳定度: -20℃～+70℃ +2.0ppm 负载电容： 10KΩ//10Pf±10% 老化率： ±1.

TC3225 频率：13M,16.3676M,19.2M,19.68M,24.5535M,26M 封装：3.2×2.5×0.9mm SMD 工作电压：+5V +2.8V +3.3V 输出负载： 削峰正弦波输出 输出电平: 0.8V(P-P)Min 温度稳定度: -20℃～+70℃ +2.0ppm 负载电容： 10KΩ//10Pf±10% 老化率： ±1.

频率：13MHZ 封装：6.0×3.5×1.0mm SMD 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10mW typical ;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±1.0ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

频率：3.5M～90MHz 封装：HC-49S DIP 频率精度：±10ppm～ ±50ppm 温度稳定度：-20℃～70℃ ±20ppm 负载电容：6～50pF 激励功率：10MW typical;5μW Max 静电容：7.0pF Max 老化率：±5ppm/year(第一年) 存储温度：-55℃～125℃

OF3225 频率：0.75MHz～75.00MHz 封装：3.2×2.5×0.9mm SMD 工作电压：+3.3V ±5%;+2.5V ±5%;+1.8V ±5% 输出波形：CMOS 温度稳定度: ±25ppm～±50ppm 负载电容：15pF ;or Specify 输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin 老化率：±3ppm/y

供应晶振 OF5032 频率：0.5MHz～125.0MHz 封装：5.0×3.2×1.2mm SMD 工作电压：+3.3V 、 +1.8V±5% 输出波形：CMOS 温度稳定度: ±25ppm；±50ppm; ±100ppm 负载电容：15pF Max 输出电平：VOL : 10%Vddmax; Voh:90%Vddmin 老化率：±3ppm/year M

HC-49/U/T/S、HC-49/S(SMD)、Φ3×8、Φ2×6及滤波器石英振荡器系列等，贴片有SMD7.0*5、6*3.5、5*3.2、4*2.5、3.2*2.5和2.5*2.0 TXC Kyocera Siward Tew Taisaw HDK EPSON Samsung KDS SII CITIZEN H.ELE NDK 大

HC-49/U/T/S、HC-49/S(SMD)、Φ3×8、Φ2×6及滤波器石英振荡器系列等，贴片有SMD7.0*5、6*3.5、5*3.2、4*2.5、3.2*2.5和2.5*2.0 TXC Kyocera Siward Tew Taisaw HDK EPSON Samsung KDS SII CITIZEN H.ELE NDK 大

HC-49/U/T/S、HC-49/S(SMD)、Φ3×8、Φ2×6及滤波器石英振荡器系列等，贴片有SMD7.0*5、6*3.5、5*3.2、4*2.5、3.2*2.5和2.5*2.0 TXC Kyocera Siward Tew Taisaw HDK EPSON Samsung KDS SII CITIZEN H.ELE NDK 大

性能参数 Specification Parameter 一次封装指标 One Package 二次封装指标 Two Package 频率范围 Freq. Range 1～85MHz60～200MHz1.5～85MHz85～240MHz 调整频差 Freq. Toler ±20ppm，±30ppm，±50ppm±3ppm，±5ppm，±10ppm

电参数 Items 指标 / 条件 Specification / Condition 标称频率 Nominal Frequency 1 MHz～60 MHz60 MHz～200 MHz 频率稳定性（VC=1/2VDC） Frequency Stability ±10 ppm，±20 ppm，±30 ppm 工作温度 Operating Tempe

调整频差 ±10～±50ppm 　　　3.0～3.5 ＜200 温度频差 ±10～±100ppm 　　　3.5～4 ＜180 工作温度 -20～+70℃ 　　　4.0～4.5 ＜150 贮存温度 -40～+85℃ 　　　4.5～5 ＜120 年老化率 ≤±5ppm 　　　5.0～7 ＜100 静电容 ＜7PF 　　　7.0～10 ＜80 绝缘电阻 ＞5

HC-49/U/T/S、HC-49/S(SMD)、Φ3×8、Φ2×6及滤波器石英振荡器系列等，贴片有SMD7.0*5、6*3.5、5*3.2、4*2.5、3.2*2.5和2.5*2.0可供选择。频率覆盖1.8432MHz-150MHz,常规频率精度可达±5ppm~±20ppm. 公司现有大量现货供应, 产 品 料 号规 格频 率负载/电压频 差 7M2600031

TXC Kyocera Siward Tew Taisaw HDK EPSON Samsung KDS SII CITIZEN H.ELE NDK HC-49/U/T/S、HC-49/S(SMD)、Φ3×8、Φ2×6及滤波器石英振荡器系列等，贴片有SMD7.0*5、6*3.5、5*3.2、4*2.5、3.2*2